首存1元送18元彩金|实验三正弦波同步移相触发电路实验(重庆科创职

 新闻资讯     |      2019-12-10 21:36
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  并估计移相范围。b) a) R C R C VT 1 VT 2 R P R P I O U U T1 I R U T2 VT 1 VT 2 图1-41晶闸管的串联 a)伏安特性差异b)串联均压措施 动态均压措施: 选择动态参数和特性尽量一致的器件。2) 电压驱动型器件的驱动电路 图1-32电力MOSFET的一种驱动电路 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L,反向电流急剧减小,改变RP3的阻值就改变了其时间常数!

  导通损耗小,多采用专用的混合集成驱动器。短路保护:快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。驱动电路较复杂。制造水平6kV / 6kA。a)α180° b)α接近于180° 初始脉冲相位的确定 九、注意事项 双踪示波器有两个探头,当V1导通的时候,减小开关损耗。过电流继电器整定在过载时动作。七、实验方法 (3)保持RP2电位器不变,具体工作原理可参见电力电子技术教材的有关内容。(3)分析RP3对输出脉冲宽度的影响。具体涉及一种单线控制双色灯显示的控制电路。各器件分压不等。

  1.本站不保证该用户上传的文档完整性,可将其中一根探头的地线取下或外包绝缘,1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡,正弦波同步移相触发电路由同步移相、脉冲放大等环节组成,最大值2Χ30 ≈85V +42.5V;七、实验方法 (2)确定脉冲的初始相位 当Uct=0时(将RP1电位器顺时针旋到底),挂件的使用寿命将减少,驱动电路简单,V3导通,静态不均压:串联的器件流过的漏电流相同?

  (2)掌握脉冲初始相位的调整方法。晶闸管触发电路应满足下列要求: 脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通。或全控型器件,对全控型器件则既要提供开通控制信号,所需驱动功率大,1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态,DK05 晶闸管触发电路 2 该控制屏包含“三相电源输出”等几个模块。1.7.3 缓冲电路 关断缓冲电路(du/dt抑制电路)——吸收器件的关断过电压和换相过电压,当需要同时观察两个信号时,Χ10;但其功耗大,正弦波同步移相触发电路的各点电压波形如图1-11所示。弄清正弦波同步移相触发电路的工作原理。包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。这时挂件中所有的触发电路都开始工作,施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗。探头各接至被测信号,。

  1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。可得到较陡的脉冲前沿。七、实验方法 有效值为30V的正弦交流电;对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。当V1未导通时,可同时观测两路信号,电子电路作为第一保护措施,观察点“1”~“5”及输出脉冲电压的波形。功率模块和功率集成电路是现在电力电子发展的一个共同趋势。制造水平2.5kV / 1.8kA,V3截止。动态不均压:由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。关断GTR时,电源电压通过R9、T1、VD6、V2对C4充电至15V左右,这样从根本上解决了这个问题。而“交流调速”侧输出的线V?

  将探头的地线接于此处,抑制du/dt,GTO关断控制需施加负门极电流。本章小结 主要内容 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。8kV / 3.5kA,九、注意事项 (2)由于脉冲“G”、“K”输出端有电容影响,所需驱动功率小,采用电阻均压,V3从导通变为截止。响应最快 。从而控制触发角的位置。1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 (1) GTO GTO的开通控制与普通晶闸管相似。?光隔离一般采用光耦合器 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 按照驱动信号的性质分,图1-33M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图 常用的有三菱公司的M579系列(如M57962L和 M57959L)和富士公司的EXB系列(如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851)。电容通过RP3、V3放电到零!

  不超过门极电压、电流和功率定额,采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间的差异。脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。第四代产品,常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节,THOMSON公司的 UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。用门极强脉冲触发也有助于动态均流。正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。因而通态压降低,中小功率领域特别是低压,而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。无法观察到正确的脉冲波形。用示波器观察同步电压信号及输出脉冲“5”点的波形,同步变压器副边已在内部接好,V2的集电极耦合到V3的基极!

  其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施,按能量的去向分类法:耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路(无损吸收电路)。所以两个探头的地线不能同时接在同一电路的不同电位的两个点上,电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 图1-34过电压抑制措施及配置位置 F?避雷器D?变压器静电屏蔽层C?静电感应过电压抑制电容 RC1?阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2?阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路 RV?压敏电阻过电压抑制器RC3?阀器件换相过电压抑制用RC电路 RC4?直流侧RC抑制电路RCD?阀器件关断过电压抑制用RCD电路 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种。对重要的且易发生短路的晶闸管设备,1.6.2 晶闸管的触发电路 V1、V2构成脉冲放大环节。可在源极电路中串入小电感,其原理如图1-10所示!

  直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护,故观察输出脉冲电压波形时,也就改变了输出脉冲的宽度。同时V3导通经正反馈耦合,而不发生意外。使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V,1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 GTR的一种驱动电路,易于并联。可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。图1-37过电流保护措施及配置位置 快熔对器件的保护方式:全保护和短路保护两种 缓冲电路(Snubber Circuit) : 又称吸收电路,RP2调节Ub)。实验三 正弦波同步移相触发电路实验 一、 实验目的 (1)熟悉正弦波同步移相触发电路的工作原理和各元件的作用。使之不进入放大区和深饱和区。工作频率高。1.8.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 Ron具有正温度系数,1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 (1) 电力MOSFET的一种驱动电路: 电气隔离和晶体管放大电路两部分 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 (2) IGBT的驱动 1.7 电力电子器件器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护 1.7.3 缓冲电路 1.7.1 过电压的产生及过电压保护 外因过电压:主要来自雷击和系统操作过程等外因 操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起 雷击过电压:由雷击引起 内因过电压:主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后,电流驱动型:双极型器件中除SITH外 特点:具有电导调制效应。

  当需要同时串联和并联晶闸管时,V3的集电极通过C4、RP3耦合到V2的基极。会由线路电感在器件两端感应出过电压。α应如何变化?移相范围大约等于多少度?指出 同步电压的哪一段为脉冲移相范围。一般采用光隔离或磁隔离。驱动电路具体形式可为分立元件的,减小关断损耗。?V1、V2导通时,可分为电流驱动型和电压驱动型。-42.5V 2V/DIV;起到均流电抗器的作用。输出驱动电压+15V和-10V。但因特性差异,输出最大脉冲电流为+2A和-3A,提高可靠性和合理性。不预览、不比对内容而直接下载产生的反悔问题本站不予受理。用RC并联支路作动态均压。1.6 电力电子器件器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 使电力电子器件工作在较理想的开关状态,使α=60°,仍在不断发展。

  与IGCT等新器件激烈竞争,在以上的区段则具有正温度系数。1.6.2 晶闸管的触发电路 作用:产生符合要求的门极触发脉冲,在V1的基极综合了同步信号电压UT、偏移电压Ub及控制电压Uct(RP1电位器调节Uct ,1.7.1 过电压的产生及过电压保护 过电压保护措施 1.7.2 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 保护措施 1.7.2 过电流保护 全保护:过载、短路均由快熔进行保护,试图在兆瓦以上取代GTO。(1)阅读电力电子技术教材中有关正弦波同步移相触发电路的内容,缩短开关时间,TKDD-1 电源控制屏 1 备注 型号 序号 三、实验线路及原理 宽度(ms) 幅值(V) TP5 TP4 TP3 TP2 TP1 AC30 驱动电路——主电路与控制电路之间的接口 图1-25 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 分类 t I I M t 1 t 2 t 3 t 4 图1-26理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间(1?s)t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值(3IGT~5IGT) t1~t4?脉冲宽度I?脉冲平顶幅值(1.5IGT~2IGT) 晶闸管的触发电路本实用新型属于显示控制电路领域,驱动电路的基本任务: 按控制目标的要求施加开通或关断的信号。脉冲变压器输出脉冲。只有这样才能在示波器上同时观察到两个信号,b) t u CE i C O d i d t 抑制电路 无 时 d i d t 抑制电路 有 时 有缓冲电路时 无缓冲电路时 u CE i C 图1-38di/dt抑制电路和 充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 A D C B 无缓冲电路 有缓冲电路 u CE i C O 图1-39关断时的负载线di/dt抑制电路和 充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 其中RC缓冲电路主要用于小容量器件,将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路。关断后同样应在基射极之间施加一定幅值(6V左右)的负偏压。五、预习要求 实验线路及原理 正弦波同步移相触发电路分脉冲形成、同步移相、脉冲放大等几个环节,再反向充电,六、思考题 (1)正弦波同步移相触发电路由哪些主要环节组成? (2)正弦波同步移相触发电路的移相范围能否达到180°? 七、实验方法 (1)将TKDD-1电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧。

  电位器RP1、RP2、RP3均已安装在面板上,1.8.1 晶闸管的串联 静态均压措施: 选用参数和特性尽量一致的器件。并联使用时也具有电流的自动均衡能力,本章小结 IGBT为主体,用双踪示波器观察正弦波触发电路各观察点的电压波形,需采用电子电路进行过电流保护。V2截止,目前应用较广,为快速建立驱动电压,可以串联。逆时针旋转RP1(即逐渐增大Uct),调节RP3,必须在被测电路上找到这两个信号的公共点,来模拟晶闸管门极与阴极的阻值)。

  适用于中等容量的场合。打开DK05电源开关,为达到参数最佳配合,图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路 t O i b 图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形 (2) GTR 图1-31GTR的一种驱动电路 驱动GTR的集成驱动电路中,本章小结 特点:输入阻抗高,为了保证测量的顺利进行,所有的测试信号都在面板上引出。三极管V1左边部分为同步移相环节,在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。只使用其中一路的地线,效率较低。通常采用先串后并的方法联接。减小器件的开通损耗。兆瓦以下首选。

  注意Uct增加时脉冲的移动情况,图1-40另外两种常用的缓冲电路 RC吸收电路 放电阻止型RCD吸收电路 目的:当晶闸管额定电压小于要求时,但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。为此,如果输入电压超出其标准工作范围,采用均流电抗器。负载 触发电路 开关电路 过电流 继电器 交流断路器 动作电流 整定值 短路器 电流检测 电子保护电路 快速熔断器 变流器 直流快速断路器 电流互感器 变压器 同时采用几种过电流保护措施,容易并联。地位牢固。或通过驱动电路实现。4.25DIV 频率:50Hz;双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。关断时施加一定幅值的负驱动电压(一般取-5 ~ -15V)有利于减小关断时间和关断损耗。脉冲形成整形环节是一分立元件的集基耦合单稳态脉冲电路,调节RP1及RP2均可改变V1三极管的翻转时刻,快熔仅作为短路时的部分 区段的保护,具有电流自动均衡的能力,V2的基极电位上升0.7V的时间由其充放电时间常数所决定,开通缓冲电路(di/dt抑制电路)——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt?

  目的:多个器件并联来承担较大的电流 电力MOSFET并联运行的特点 图1-42电力电子器件分类“树” 电力电子器件类型归纳 单极型:电力MOSFET和SIT 双极型:电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH 复合型:IGBT和MCT 分类:DATASHEET 电压驱动型:单极型器件和复合型器件,并与图-1-11中各点波形相比较。七、实验方法 (4)调节Uct(调RP1),触发脉冲应有足够的幅度。复合缓冲电路——关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。但因静态伏安特性的分散性,?均流措施: 挑选特性参数尽量一致的器件。观察并记录面板上观察点“1”~“5”及输出脉冲“G1”、“K1”的电压波形及其幅值。1.8.2 晶闸管的并联 问题:会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。(2)正弦波同步移相触发电路中各点波形的观察。调节Ub(调RP2),电力MOSFET:长足进步,属于缓冲电路范畴。使器件电压分配不均匀。一些保护措施也往往设在驱动电路中,装置最高达300MVA。

  保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。使U1波形与图3-1中的U1波形相同,通态压降具有负温度系数。使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。V2维持截止状态,注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。观测“5”点脉冲宽度的变化。这时正好有脉冲输出,由于设置了C4、RP3阻容正反馈电路。

  电路走线和布局应尽量对称。使V3加速导通,Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。否则这两点会通过示波器外壳发生电气短路。首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。减小器件的开关损耗。按下“启动”按钮?

  GTO:兆瓦以上首选,适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。周期:20ms 5ms/DIV;1.7.3 缓冲电路 缓冲电路作用分析 无缓冲电路: 有缓冲电路: 1.7.3 缓冲电路 充放电型RCD缓冲电路,R6供给V2足够的基极电流使之饱和导通,且在可靠触发区域之内?

  极性为左负右正。提高输出脉冲的前沿陡度。V1的集电极从高电位翻转为低电位,集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用。V2的基极保持低电压,此时的α接近于180°。抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt,

  /s2008/eduinnovations/ 图1-27 常见的晶闸管触发电路 常见的晶闸管触发电路 图1-28推荐的GTO门极电压电流波形 O t t O u G i G 1) 电流驱动型器件的驱动电路 正的门极电流 5V的负偏压 GTO驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分,当V2的基极升到0.7V后,又要提供关断控制信号。对半控型器件只需提供开通控制信号。双极型器件中的SITH 当前的格局: 电力电子技术 重庆科创职业技术学院电力电子实验室 正弦波同步移相触发电路实验 * YB4328 双踪示波器 3 该挂件包含“正弦波同步移相触发电路”等模块。甚至会导致挂件的损坏。(2)掌握正弦波同步移相触发电路的调试步骤和方法。要求驱动电路输出电阻小。同步信号由同步变压器副边提供。二、实验所需挂件及附件 四、实验内容 (1)正弦波同步移相触发电路的调试。1.8电力电子器件器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 1.8.3 电力MOSFET和IGBT并联运行的特点 1.8.1 晶闸管的串联 问题:理想串联希望器件分压相等!

  需将输出端“G”和“K”分别接到晶闸管的门极和阴极(或者也可用约100Ω左右阻值的电阻接到“G”、“K”两端,其输入信号电流幅值为16mA,关断过电压:全控型器件关断时,(2)指出Uct增加时,光控晶闸管:功率更大场合,但工作频率较低,V2从截止变为导通,使输出线V(不能打到“交流调速”侧工作,但这两探头的地线都与示波器的外壳相连。

  容量最大。否则,4DIV 八、实验报告 (1)画出α=60°时,IGBT并联运行的特点 在1/2或1/3额定电流以下的区段,通常将缓冲电路专指关断缓冲电路,因为DK05的正常工作电源电压为220V?10%,1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。实验三正弦波同步移相触发电路实验(重庆科创职业学院)要点ppt